碳化硅生产装备
一个能打的都没有？SiC芯片制造关键设备再突破
2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡 2023年4月25日 前言：碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。 其中衬底、外延片、晶圆、器件 国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备 ...2021年7月5日 碳化硅器件的生产环节主要包括衬底制备、外延和器件制造封测三大步骤。 各步骤中难度和价值量最高的是衬底制备环节，而衬底制备环节中晶体生长是最困难的步骤。揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道_澎湃 ...
中电科第四十八研究所巩小亮：碳化硅芯片制造装备 ...
中国电科48所围绕SiC外延和芯片制造全链条开展核心装备开发、迭代与应用，在国内率先开发出碳化硅成套关键装备并逐步成熟，以SiC外延、高温高能离子注入、高温激活退火、 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体： 将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎2023年5月6日 关键装备等核心环节的技术发展，有利于保障我国碳化硅电力电子器件产业的自主可控发展。. 2023年5月5-7日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙召开。. 论坛在第三代半 CASICON 2023长沙站：聚焦碳化硅关键装备、工艺及
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 人民网
碳化硅是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的核心材料，尤其是在航天、国防等领域有着不可替代的作用。 据中金企信国际咨询发布，目前我国 2023年3月26日 在省重大科技成果转化项目“碳化硅衬底产业化关键技术研究”等的支持下，科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难 打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备 ...
